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인버터 에어컨과 냉동기2025.05.161. 인버터 냉동기 인버터 냉동기의 주요 구성품은 전원변환장치, 입력부, 프로그램, 인버터모듈, 출력부로 구성됩니다. 전원변환장치는 AC(교류)전원을 DC(직류)전원으로 변환하는 컨버터와 DC전원을 다시 가상의 AC전원으로 전환하는 인버터로 구성됩니다. 입력부는 온도센서와 압력센서로 구성되어 주위온도 및 시스템압력을 수집합니다. 프로그램은 센서로부터 상태값들을 수집해 최적의 상태로 운전될 수 있도록 계산해 인버터모듈로 전송합니다. 인버터모듈은 전송받은 데이터를 바탕으로 회전수를 단계별로 조절해 구동출력을 압축기로 전송합니다. 출력부...2025.05.16
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인하대 VLSI 설계 2주차 inverter2025.05.031. Inverter 회로의 개념 Inverter 회로는 입력이 0일 때 출력으로 1이 출력되고 입력이 1이면 출력으로 0을 출력하는 회로를 말한다. CMOS Inverter 회로는 VDD에 PMOS, GROUND에 NMOS가 연결되어 있으며, 입력 신호가 1일 때 PMOS는 OFF, NMOS는 ON이 되어 출력 단자 Y가 VDD와 차단되고 GND와 연결되어 0의 값을 출력하며, 입력 신호가 0일 때 PMOS는 ON, NMOS는 OFF가 되어 출력 단자 Y가 VDD와 연결되고 GND와 차단되어 1의 값을 출력한다. 2. Invert...2025.05.03
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CMOS 인버터 설계 및 특성 분석 실험2025.11.181. CMOS 인버터 설계 공정 CMOS 인버터 설계는 웨이퍼 준비, n-well 형성, 활성 영역 정의, 게이트 형성, S/D 도핑, 어닐링, 컨택 형성, 금속화, 전극 형성 등 10단계의 공정으로 구성된다. 총 7개의 마스크(well, active region, poly, n-select, p-select, contact, metal mask)를 사용하여 미세한 패턴을 형성하고, 각 단계에서 산화막 증착, 식각, 이온 주입, 확산 등의 반도체 공정 기술이 적용된다. 2. 도핑 농도 및 접합 깊이 최적화 NMOS와 PMOS의 도핑...2025.11.18
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디지털집적회로 inverter 설계도 및 시뮬레이션 결과2025.04.281. CMOS 인버터 설계 CMOS 인버터는 다른 유형의 인버터에 비해 노이즈 마진이 넓고 전력 소비가 낮아 집적 회로 설계의 기반이 되고 있습니다. 이 프로젝트에서는 CMOS 인버터를 선택하여 설계하고 시뮬레이션을 수행했습니다. PMOS와 NMOS의 크기 비율을 변경하여 스위칭 임계 전압과 전파 지연 시간을 분석했습니다. 2. DC 분석 DC 분석에서는 스위칭 임계 전압(Vs)을 계산하고 PMOS/NMOS 크기 비율에 따른 변화를 확인했습니다. PMOS/NMOS 크기 비율이 1.4335일 때 Vs는 VDD/2보다 낮았고, 1일 때...2025.04.28
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전자재료물성 실험 및 설계 2 - BJT 및 MOSFET 특성2025.11.181. BJT(양극성 접합 트랜지스터)의 전기적 특성 BJT는 전류 제어용 소자로 PNP, NPN 구조로 나뉜다. 세 개의 전극(이미터, 베이스, 컬렉터)으로 구성되며, 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다. BJT는 차단영역, 활성영역, 포화영역, 역활성영역의 네 가지 동작영역을 가지며, 활성영역에서 증폭 기능을 수행한다. 온도 증가에 따라 캐리어 수가 증가하여 전기전도도가 증가하고 문턱전압이 낮아진다. 2. BJT 증폭기 회로의 종류 및 특성 BJT 증폭기는 접지 위치에 따라 공통 이미터(CE), 공통 베이스(CB), 공통 ...2025.11.18
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디지털집적회로설계 실습: 기본 논리게이트 시뮬레이션2025.11.151. INVERTER (인버터) 인버터는 입력 신호를 반전시키는 기본 논리게이트이다. 실습에서 pulse 파형의 입력 신호를 사용하여 시뮬레이션을 수행했으며, 결과 그래프에서 입력과 출력 신호가 정반대의 값을 가지는 것을 확인하여 제대로 구현되었음을 검증했다. 2. NAND 게이트 NAND 게이트는 두 입력 신호가 모두 1일 때만 출력이 0이 되고, 나머지 모든 경우에 출력이 1이 되는 논리게이트이다. 실습에서 INA, INB 입력에 대한 OUT 출력을 분석하여 NAND 게이트의 동작 원리를 파형 그래프로 확인했다. 3. AND 게...2025.11.15
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[전자회로응용] Non-interting Op Amp 결과레포트 (만점)2025.01.281. Non-inverting Op Amp 실험 주제는 Non-inverting Op Amp입니다. 실험 목표는 다음과 같습니다: ① Non-inverting OP amp의 동작원리를 설명하라. ② Bode plotter를 이용하여 'TL074CN'소자의 unit-gain frequency와 upper corner frequency를 확인하고 전압이득과의 관계를 설명하시오. ③ Oscilloscope를 이용하여 입출력 전압 swing을 확인하고 전압이득을 이론 계산 값과 비교하라. 예상 결과로는 Op amp는 DC amp이므로 DC...2025.01.28
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디지털집적회로설계 실습 4주차 보고서2025.11.141. CMOS Inverter 설계 및 시뮬레이션 FULL-Static CMOS Inverter는 PMOS(M0)와 NMOS(M1) 트랜지스터로 구성된 기본 논리 게이트이다. 0.06마이크로미터 스케일로 설정하고 25도 온도에서 시뮬레이션을 수행했다. 입력신호는 3.3V 펄스로 초기값 0V, 최대값 3.3V, 펄스 폭 50ns, 주기 100ns의 파라미터를 가진다. 시뮬레이션 결과 Vin과 Vout의 펄스가 반전되어 출력되며, 최대 전압이 3.3V로 올바르게 작동함을 확인했다. 2. CMOS NAND Gate 설계 및 검증 NAND...2025.11.14
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PMSM 전동기 속도 제어 설계2025.05.071. PMSM (영구 자석형 동기 전동기) PMSM은 영구자석을 사용한 동기전동기로, 고정자에 교류를 인가하여 회전자계를 만들고 회전자가 이를 따라 도는 원리로 동작한다. PMSM은 크기가 작고 가격이 저렴하며 보수가 쉽지만 전기만 넣어서는 기동되지 않아 인버터 회로와 함께 설계해야 한다. 2. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT는 BJT와 MOSFET을 복합한 형태로, 높은 입력 임피던스와 낮은 도통 손실, 일정한 전압 강하 등의 장점이 있어 대전류 시 에너지 효율이 좋다. 또한 저전...2025.05.07
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디지털집적회로설계 실습 2주차 보고서2025.11.131. NMOS 레이아웃 설계 Magic layout 도구를 사용하여 NMOS 트랜지스터를 설계한다. n-diffusion(초록색)을 21x8 크기로 생성하고, ndc(하늘색) 8x8을 양 끝에 배치한다. 빨간색 poly silicon을 중앙에 배치하여 위아래로 4칸이 나오도록 구성한다. DRC(Design Rule Check)를 통해 설계 규칙 준수 여부를 확인한다. 2. PMOS 레이아웃 설계 PMOS 트랜지스터는 p-diffusion(주황색)을 21x8 크기로 배치하고, pdc(파란색) 8x8을 양쪽 끝에 배치한다. Poly를 ...2025.11.13
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