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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서82025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 실습에서는 N-type MOSFET을 이용하여 특정 reference 전류가 흐를 수 있는 단일 current mirror와 cascode mirror를 설계 및 측정하여, current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것이 목적입니다. 단일 current mirror 설계에서는 MOSFET의 특성을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하고, 이를 시뮬레이션으로 확인합니다. 또한 cascode current mirror 설계에서는 단일 current mirror...2025.01.11
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계2025.04.291. 단일 Current Mirror 설계 이 섹션에서는 단일 Current Mirror 회로를 설계하는 방법에 대해 설명합니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 참고하여 (1/2)μ'(W/L)을 계산합니다. (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 필요한 VGS와 W/L 값을 구합니다. (C) MOSFET이 포화 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하고, VDS의 최대값을 계산합니다. (D) 10 mA 전류원을 OrCAD로 설계하여 회로도를 제출합니다. (E) PSPICE ...2025.04.29
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 8_MOSFET Current Mirror 설계2025.01.111. MOSFET Current Mirror 설계 이 보고서는 MOSFET Current Mirror 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계와 Cascode Current Mirror 설계에 대해 설명하고 있으며, 각 회로의 설계 과정과 시뮬레이션 결과를 제시하고 있습니다. 단일 Current Mirror 설계에서는 2N7000 MOSFET을 이용하여 10mA의 전류원을 설계하는 과정을 보여주며, Cascode Current Mirror 설계에서는 10mA의 Cascode 전류원을 설계하는 과정을...2025.01.11
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MOSFET Current Mirror 설계 및 실습2025.11.131. 단일 Current Mirror 설계 N-Type MOSFET 2N7000을 이용하여 Reference 전류가 흐르는 단일 Current Mirror를 설계한다. 트랜지스터의 Transconductance Parameter를 Data sheet에서 구하고, Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 분석한다. 출력저항은 Channel Length Modulation 효과를 고려하여 계산하며, 10mA의 전류원 설계를 목표로 한다. OrCAD와 PSPICE를 이용한 시뮬레이션으로 설계값을 검증한다. 2. Cascode C...2025.11.13
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.011. 단일 Current Mirror 설계 설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계에서는 그림 1의 Current Source 회로를 이용하여 IREF = 10 mA인 전류원을 설계하는 것이 목표입니다. 이를 위해 (A) 2N7000 MOSFET의 데이터시트를 활용하여 (1/2)kn'(W/L)을 구하고, (B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해 M2의 VGS와 R1 값을 계산합니다. (C) M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건과 RL의 최대값을 구하고, (D) OrCAD로 IO = ...2025.05.01